工信部规划司关于做好工业技术改造重点项目征集工作的通知附件

2022-05-17 15:06:04 147小编 223

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(来源:天津市工业和信息化委员会) http://www.tjec.gov.cn/tzgg/53132.htm

电子信息产业创新发展工程重点方向汇总表
序号项目名称支持领域和重点内容(带具体技术指标)实施目标
合计:6个专题25个方向
一、集成电路先导技术基础能力建设
1集成电路先导技术基础能力建设依托先进的12英寸集成电路生产线和先导研发平台,建设开放式的面向未来的基础工艺技术国家级研究院,重点支持20-14-10纳米等先进逻辑技术基本工艺、3D NAND等先进存储器工艺技术、SoC制造技术,包括各种嵌入式存储器等、国产设备和材料的验证、相关配套IP的研发与验证以及CoT服务等。在3-5年内将集成电路先导技术研究院打造成为中国IC先导技术的研发基地和验证平台,完成先进逻辑及存储器工艺技术研发,并支持该工艺技术在集成电路制造企业的量产。在5-10年内在IC行业形成具有与国际同步的研发能力和自主创新实力的研发队伍。建立起完善的知识产权保护体系。
二、平板显示产业链创新
2平板显示产业链1.生产线建设:支持LTPS和Oxide大规模生产,突破AMOLED背板、蒸镀等关键工艺技术,实现AMOLED面板量产。2.关键材料:高世代玻璃基板等关键材料。3.关键设备:5.5代及以上蒸镀、成膜等关键设备。TFT-LCD演进技术(LTPS、Oxide)及AMOLED技术导入量产后,年产能分别达到500万平方米、40万平方米。中小尺寸薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板制造关键材料本土化配套率达到60%,大尺寸TFT-LCD以及AMOLED面板制造关键材料本土化配套率达到30%。
三、重点电子元器件和材料跃升
3关键电子材料1. 电子级高纯多晶硅:纯度达到11N以上,成本达到或接近太阳能级多晶硅。2. 电力电子器件用高阻厚层硅外延材料:不均匀性<1%,缺陷密度<1个/cm2,满足600V以上VDMOS和1000V以上IGBT的使用要求。3. 集成电路用大尺寸硅外延材料:实现材料无COP缺陷、金属杂质含量<1011/cm2,满足90nm以下线宽集成电路要求。4. IC封装用高性能覆铜板:具有高耐热性、高尺寸稳定性、高电气绝缘性、优异介电性能、以及良好的机械性能。5. 高性能磁性材料。(1)稀土:最大磁能积(BH)max≥35MGOe,工作温度≥250℃,综合磁性能≥75,抗压强度≥600MPa。(2)铁氧体:矫顽力Hcb=4300±150Oe,最大磁能积(BH)max=5.4±0.2MGOe,抗弯强度>0.5×108N/m2,抗压强度>6.9×108N/m2, 抗拉强度>0.2×108N/m2。6.高容电子陶瓷材料。(1)氧化锆:粒径<100nm,老化速率<3%(140℃/20小时),烧结温度≤1380℃,烧结密度≥6.00g/cm3,纯度≥99.9wt%。(2)钛酸钡:纯度不小于99.9%,粒度分布(CV%)≤25%。(3)介质瓷粉粉:平均粒径≤0.3μm,适合于制作介质层厚度1-2μm MLCC,配方粉介电常数≥4000。7.陶瓷基板材料。(1)超小型片阻用氧化铝陶瓷基板:抗折强度≥274MPa;表面粗糙度Rz≤0.003mm。(2)高热导率氮化铝陶瓷基板:密度≥3.30 g/cm3;表面粗糙度≤0.6μm;翘曲度≤0.05 mm/25.4mm;热导率(20℃)≥190 W/m•K;抗弯强度≥310 MPa。(3)高反光率LED用陶瓷基板:导热率(R.T.)≥20W/(m•K);翘曲度≤0.002 mm/mm。8.压电晶体材料:声表器件用4-6英寸石英晶体基片。9.真空电子器件用材料。(1)高热导率材料和复合材料,毫米波大功率衰减材料,微晶高纯Al2O3陶瓷及其焊接用材料;(2)真空开关管用低截流值(≤3A或更低)、大容量、高电压、抗熔焊的触头材料;(3)大批量稳定、可靠、一致性良好的金属化陶瓷壳和波纹管。10.电子焊接材料。低银、免清洗无铅、无卤素锡焊料系列化产品;适应高温(约1000℃)、中温(700℃左右)、低温(400℃左右)系列化产品;电子用粘接剂(有机、无机类)。建立电力电子器件用硅外延片的工艺规范、利用SPC等方法,提高外延片批次稳定性和一致性。突破减压外延、等电子掺杂等关键工艺,实现该类型材料国产化。实现高性能、低成本的覆铜板产品稳定质量的产业化。批量生产出水平的高性能磁性材料,满足新能源汽车电机日益小型化、轻型化、高性能化发展的需求。突破功能陶瓷材料及陶瓷基板、压电晶体材料、真空电子器件用关键材料、高性能焊接材料在成型、烧结、表面处理、等关键核心技术,实现中高端产品的产业化生产。
4高端电子元件产品1.高精度、超小型片式阻容感元件。精密片式薄膜固定电阻器。阻值范围:1608:4.7Ω~500KΩ;2012:4.7Ω~1MΩ;3216:4.7Ω~2MΩ;阻值精度:0.1%;电阻温度系数:±25ppm/℃。2.片式PTC正温度系数热敏电阻器。阻值范围:100Ω~3KΩ;电阻温度系数:1000~3000ppm/℃;温度系数偏差:±10%。3.01005超微型片式电容器。尺寸精度:0.4±0.02×0.2±0.02×0.2±0.02;标称电容量:1pF -47pF(C0G)、100pF-1000pF(X7R)、1200pF-0.01μF(X5R)。4.高端微型叠层片式电感器。产品尺寸:0.6mm×0.3mm×0.3mm;电感量:1.0nH-10nH;谐振频率:2.9GHz-8.0GHz;额定电流:150mA~250mA;直流电阻:0.7Ω(max)5.高性能光纤光缆及光无源器件。光分路器等光无源器件;塑料光纤等新一代传输光纤;光纤传感器器件;支持光纤光缆生产关键设备和配套材料研发。针对三网融合、下一代移动通信、新型显示、物联网、新能源等战略性新兴产业的应用需求,集中力量突破核心、关键元件的技术瓶颈,提升产业配套能力,推动基础电子元件向高性能、复合化、智能化方向发展。
5锂离子电池及关键材料1.新型锰酸锂、磷酸铁锂、三元材料等锂离子电池,重点突破比能量密度和循环寿命瓶颈。2.下一代锂硫电池、锂空气电池,研究一致性、安全性控制工艺,极片工艺和结构设计,突破电池成组技术、系统管理、监测控制技术和可靠性技术。3.高性能锂离子电池隔膜材料:抗高电压>4.35v;穿刺力>700g/20m;120℃,1h热收缩率<1%,150℃,30min热收缩率横向<0.5%,纵向<3%;孔隙率>45%。突破锂离子电池行业关键技术瓶颈,实现电池、材料、设备和应用等上下游产业链加强合作,提升本土锂离子电池产品竞争力,有效提升技术含量高的产品比重。
6超级电容器1.电极活性炭材料:比表面积>1500㎡/g;克容量>110F/g;循环寿命>50万次;大批量生产稳定性高。2.锂离子超级电容器用电解液:电导率≥6mS/cm;纯度≥99.5%;游离酸≤50ppm;水分≤20ppm,规模化生产可用于3V以上。3.高性能功率型超级电容器:比功率≥8,000W/kg;比能量≥10Wh/kg;循环寿命≥50万次。4.高性能能量型超级电容器:比能量≥25Wh/kg;比功率≥3,000W/kg;循环寿命≥30000次。5.电子电路用高温长寿命超级电容器:2.5V、3000小时高温浮充条件下,容量保持在初始值70%以上,内阻保持初始值300%以下。6.超级电容器集成应用开发:轨道交通能量回收系统、电网削峰填谷储能系统、小型车辆启停系统。实现电极活性炭、电解液等关键原材料的国产化,实现千吨级产品生产稳定化生产。开发出高性能功率型超级电容器、高性能能量型超级电容器、电子电路用高温长寿命超级电容器的关键技术及产品,突破集成应用技术开发,在未来2-3年内实现超级电容器在轨道交通、家用车辆以及电网储能等重点领域的批量应用。
7传感器及关键材料1.关键敏感元件和传感器:(1)硅压阻压力敏感元件:利用硅膜片特性制备敏感元件,量程从0-100kpa至0-60mpa工作温度-55至125℃,实现表压、绝压测量。(2)红外热成像及温度敏感元件:采用MEMS工艺及PVD和IAD技术对Ge、Si、ZnS等红外材料进行气相沉积。(3)光纤传感器:光纤陀螺、光纤加速度传感器、光纤压力传感器,解决高电压、大噪声、高温、强腐蚀等问题。(4)多功能复合式红外气体传感器:采用多功能复合式红外热电堆,测量温度可达1400℃,精度±1,响应时间≤2s。(5)巨磁传感器:尺寸在1mm2尺度以内,测角精度达到0.05°的磁阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)传感器。(6)图像识别传感器:采用不同波长红外(中、远、近红红外)光发生器,制备通过内置滤光片接收红外波段反射图像的红外图像识别传感器模块。(7)智能化复合型传感器:微硅电容传感器、微硅质量流量传感器等2.重要敏感材料:(1)磁性材料:非晶态磁性材料、磁阻薄膜材料((FeNi、NICo)、热敏磁性浆料等,重点满足各种坐标传感器、磁场传感器等高灵敏度、高稳定性和可靠性及微型轻量化需求。(2)传感器用半导体材料:可控禁带宽度材料,用于高精度半导体热敏、气敏传感器及半导体霍尔元件等。(3)复合功能材料:生物敏感材料、金属复合功能敏感材料、陶瓷复合材料等。3.传感器关键工艺技术:(1)MEMS工艺技术。结合微电子技术和微加工技术等工艺,批量生产具备微型化、数字化、复合功能等特征的各种传感器。(2)研发介质隔离封装工艺技术。通过硅-硅、硅-玻璃键合工艺形成介质隔离腔体,利用微熔工艺,完成敏感元件与金属和非金属等壳体融合的组合封装,实现与被测介质完全隔离检测。(3)基于MEMS工艺技术的简易封装工艺技术。采用TO系列金属封装、各种陶瓷结构、塑封体等封装结构形式,满足机械支撑强度大、环境保护好和电气连接方便等要求。突破半导体敏感材料、复合功能材料等机理,解决敏感材料生产技术瓶颈,形成批量供应能力。提高MEMS工艺技术、介质隔离封装工艺、薄膜传感器制备工艺等水平,重点突破表面微机械加工技术、晶片键合技术、微机械组装技术等,形成高端传感器大生产线和稳定生产制备能力。重点提升红外传感器、巨磁传感器、光纤传感器等工艺水平,形成大批量产线能力。
8印制电路板绿色生产技术应用1.数字喷印工艺、直接激光曝光技术、生产流程集成化及优化技术(包括三废处理)。2.自动化智能化设备。全自动销定位叠合线、全自动机械人铣销钉孔、自动收放板机等。新技术应用在2015年有较大突破,2016年全面推广,并逐年减少水电等资源消耗,提高循环利用率,降低废水(液)排放,在2015年实现减少20%、2016年减少30%。
9电力电子器件1.IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。芯片:100A,1200-6500V;焊接模块:200-2000A,1200-6500V;平板全压接模块:200-2000A,1200-6500V。2.MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。100V-1000V,0.5A-30A。3.宽禁带半导体器件。SiC肖特基二极管SBD:2A-50A,600V-3300V;SiC MOSFET:2-50A,900-3300V。GaN电子电力器件:SBD 600V/10A,1200V/5A。到2015年第一代电力电子器件国内市场份额达到80%;第二代器件中IGBT产品国内市场份额超过20%;第三代器件研发取得进展,批量生产SiC二极管。到2016年,第一代器件在轨道交通、输变电系统、新能源等高端领域实现普遍国产替代,国内市场份额超过90%;第二代器件的IGBT形成系列化,国内市场份额超过50%。第三代器件的SiC MOSFET、SiC IGBT产品实现小批量生产。
10LED/半导体照明1.LED用关键材料:4英寸蓝宝石衬底和图形衬底;GaN复合衬底、新型封装材料和工艺材料。2.高亮度大功率、高综合性能LED器件:蓝光(白光)功率器件LED达到150lm/W,且具备优良的综合性能。3.半导体照明光源产品生产线自动化:按照国家标准、行业标准可实现4种以上新光源的批量生产。4.LED专用设备、测试仪器等生产线改造。到2015年,可满足大部分照明、LED小间距超大屏和LCD背光源的技术需求,蓝光(白光)功率LED器件批量生产的发光效率达到140lm/W;半导体照明(光源和灯具)的销售收入比重占照明总体销售收入的15%。到2016年,蓝光(白光)功率LED器件批量生产的发光效率达到150lm/W,可基本满足照明、LED小间距超大屏和LCD背光源的技术需求;半导体照明(光源和灯具)的销售收入比重占照明总体销售收入的18%。
11光电子器件1.硅基光电子器件。基于标准CMOS工艺的硅基光子集成芯片。2.100G光通信用信号放大器及窄线宽可调激光器。到2016年形成10G、40G高速光电器件大规模生产能力(20000只以上),布局100G光电器件,实现规模化生产(200万只以上)。硅基光电子器件性能达到世界领先水平。
四、关键信息技术及设备安全可靠支撑能力提升
12安全可靠服务器1.面向互联网应用的高密度、低成本、低功耗、定制化服务器。基于国产CPU芯片,推进企业级安全可靠服务器的开发和产业化。2.面向重点行业核心业务处理的高可靠性安全服务器(主机系统)。提升面向金融、电信等关键行业应用的高端服务器的高可靠性和计算处理能力,开发多处理器互联技术,逐步采用国产CPU芯片替代。到2015年,在大流量、高密度、低能耗设计、虚拟化以及芯片并发处理、多处理器互联等方面取得突破,商用小规模产品并投放市场。2016年实现面向互联网应用和关键行业核心业务处理的产品规模化生产能力,在重点行业得到规模应用。
13海量高可靠性存储设备1.海量存储系统。提升存储能力至EB(10^18)~ 10EB(10^19)量级。2.高可靠安全存储设备。中低端设备方面,推进基于国产CPU的盘阵控制器开发;高端设备方面,通过磁盘阵列、存储体系架构自主设计,逐步采用国产CPU芯片替代。2015年在存储控制器、安全磁盘阵列设计等关键核心技术方面形成批量整机产品生产。2016年推进高性能、高可靠性、高可扩展性10EB海量高端存储设备规模化生产。
14高性能安全工业控制计算机及控制系统1.基于国产CPU芯片的工控机。采用国产CPU芯片,突破总线设计技术,提升整机安全可靠性和可维护性。2.工业用安全、高性能嵌入式系统,大型集散控制系统DCS、安全仪表系统SIS、大型PLC控制系统、大型分布式测控系统SCADA。2015年在工控产品硬件可置换技术、实时操控、跨平台、安全加密、人机接口等领域形成批量商业化产品。2016年形成满足工业应用需求的国产软硬件平台,国产工业控制整机产品具备一定市场份额。
15面向工业控制系统的云测试服务平台1.建设云测试基础环境改造。搭建云测试服务器,漏洞渗透测试,漏洞诊断分析,定时自动扫描被测工控系统,持续测试服务。2.自动化测试环境改造。云端工控系统漏洞库,网络化的工控系统在线测试能力,基于云端的工控系统全生命周期的监控服务。实现对于我国工业控制系统的测评、监测、诊断能力,适应我国大量的工业控制系统信息流与控制流融合、信息系统与物理系统融合的技术特点,强化我国工业产品和系统的基础和质量。
16高性能、安全网络设备1.路由器:单板交换容量(转发能力)达到1T以上,整机交换容量(转发能力)达到12T以上。2.基于国产芯片的高速、大容量、安全路由器。2015年完成单板转发能力和整机交换容量的技术突破,形成批量产品进行推广试点。2016年形成规模化生产能力,在电信骨干网中自主设备占据主要市场份额。
17基于SVAC自主可控国家标准的智能视频安防监控系统1.核心算法研究和芯片。SVAC国家标准基础算法研究以及芯片,包括超低照度成像技术、200万高清以及500万超高清视音频编解码核心技术等。2.视频监控设备。基于SVAC国家标准的摄像机、硬盘录像机等视频监控设备等。3.视频安防监控相关软件平台。2015年实现自主国家标准算法芯片和产品规模化量产,实现10万路自主产品、上百个项目应用。2016年实现百万路以上的产品规模应用。
18国产化基础软件安全检测与全面国产化网络安全产品研发环境改造1.国产化研发环境基础设施改造。2.国产化网络安全产品和安全检测专用工具的开发。3.国产化基础软件安全检测。发现一批国产基础软件和国产安全产品漏洞,促进完成至少15款全国产化主流网络安全产品的技术改造。
19基于新一代信息技术的云安全服务运营平台1.云安全数据中心建设。2.云安全平台建设。主要包括云平台信誉库信息系统的改造、数据采集子系统改造、数据处理子系统改造、数据存储子系统改造、数据呈现子系统改造。3.传统硬件安全产品。主要包括基于国产芯片的硬件平台、软件系统及生产线升级改造。4.企业安全中心建设。以软件和服务形式提供可定制、可管理的传统安全硬件产品,突破传统网络安全行业以硬件产品销售为主商业模式。实现2015年服务收入占比达到35%,2016年达到40%。
20互联网开放大数据平台1.数据中心节能减排、改造升级。云计算基础架构改造升级及关键技术、分布式数据仓库的改造升级及关键技术,机器学习系统升级及人工智能技术。2.部署公有云业务系统、分布式数据仓库开放能力平台、人工智能开放能力平台。形成面向互联网数据的高效存储、管理、分析能力,实现对图像、视频等数据的深入分析,技术产品自主可控程度大幅度提高。基于该平台的各类行业应用方案发展成熟,在多行业深入应用。
21面向互联网的大型企业管理软件1.支持C2B、O2O、大数据分析服务等新型业务模式。2.支持SaaS应用模式,支持跨平台部署运行,支持移动端应用。3.提供开放的平台,可融合第三方应用与服务;与第三方电商平台对接。4.平台并发访问数由万级提高到10万级;支持日访问量(PV)>50万。5.数据存储规模由PB级提高到100PB级;对不同结构数据提供快速加载能力,数据增量实时同步延迟在秒级(<10s)。6.支持500个以上移动应用。7.提升系统快速响应处理能力,响应时间上要求执行事务或作小范围查询为1~3秒,在大范围查询时为5~10秒;系统实现7 x 24小时稳定运行;系统可靠性不低于99.99%。8.升级平台安全管理机制,建立数据保护和使用安全机制与规范。9.支持国产操作系统、国产数据库。通过对核心系统的技术升级与改造,提供一个面向财务、HR、IT、采购等核心业务的共享服务平台,实现企业管理软件的全面移动应用转型和服务创新,聚合第三方应用服务资源,建立起基于平台的产业生态链,更好地满足大型企业管理模式、组织模式、业务模式和应用服务需求不断完善和发展的要求。
22基于应用交付平台的企业应用公有云1.突破企业应用云平台关键技术:用户会话虚拟化技术,支持对应用的无缝多租户改造,不同租户具备独享的应用配置文件和运行实例;多类型应用的用户集中管理,统一的身份认证和权限入口,防止一般用户越权管理数据库、服务器或高权限的数据平台;应用级VPN接入;支持USBkey、口令/密码等多因子认证技术。2.企业应用云平台:改造企业应用发布门户,统一使用企业应用云平台的入口;对已有企业应用进行改造,使其融入到企业应用云平台上;提升企业应用的用户体验,使其适应云模式交付;对集中后的企业应用进行分组权限管理;增强从外部访问业务办公环境的安全控制能力,提升安全性;建立符合云平台机制的企业应用研发、交付和运维团队。3.企业应用公有云建设:企业应用公有云市场推广,示范应用;开发适合公有云模式的运营支撑系统,满足运营需求;打造以公有云模式为核心的技术、研发、产品和服务团队;建立面向公有云运营的体制。到2016年,在应用交付平台的基础上建立企业私有的应用交付云,探索企业应用转型之路。再利用2到3年时间,发展外部客户,逐步扩大应用规模。
五、网络通信设备产业能力提升
23大容量高速率智能光通信芯片、产品和设备1.新一代光纤宽带接入核心设备(GPON):上行速率不低于2.5Gbps,下行速率不低于10Gbps;2.超高速波分复用传输系统(DWDM):单通道速率不低于100Gbps,单光纤速率不低于8Tbps;3.分组光传送网设备(POTN):交叉容量不低于10Tbps;实现多粒度、大容量光交换,大容量组网调度的研发和产业化,基于智能控制平面的新型光传输设备研发和产业化能力显著提升,光接入一致性测试仪表及测试评估方法取得突破,以及光通信芯片、产品和设备的设计、测试能力和产品工程能力显著提升。
24基于LTE的星地一体通信和室内外无缝定位终端1.基于国产芯片的终端开发。基于自主LTE芯片、软件无线电SDR平台、北斗导航、TC-OFDM室内定位技术等相关自主知识产权技术,突破多种技术的芯片集成能力,提供水平优于3米,垂直优于1米的室内定位精度;2.终端测试验证系统研发。满足室内外无缝定位技术的测试验证需求。2015年,突破通信导航多技术终端的集成技术、芯片级通信导航多技术融合技术,研发出芯片级解决方案及各类终端,完成4个城市外场技术及应用测试。2016年,参加更广泛的外场测试,完成10个左右城市的规模化示范应用。
六、智能家庭关键技术研发和应用示范
25智慧家庭关键技术研发及应用示范1.智慧家庭组网设备。支持短距离、宽带无线传输综合解决方案研发,以及低压室内电力线传输通信系统和配套产品、智慧家庭智能网关设备技术改造。2.智慧家庭智能终端。支持智慧家庭环境下的高清投影机、高保真音响、高清智能网络摄像机等多种应用终端产品研发。3.应用平台与系统。支持智慧家庭智能终端应用程序运营的管理平台、面向智慧家庭业务的信息安全保障与监管平台,以及智慧家庭多业务系统的集成平台和业务支撑(BOSS)系统。4.智慧家庭公共服务平台。开发智慧家庭应用全业务环境仿真平台,研发具有自主知识产权的测试工具,提供智慧家庭产品和业务服务的评估及测试等服务。建立智慧家庭关键技术、产品及业务等专利数据库。围绕智慧家庭产业链,通过实施一系列技术改造项目,提升一批关键环节技术,如人机交互、新型显示、信息安全、网络通信等核心技术,研发满足智慧家庭业务要求的高带宽网络设备、智能电视、智能终端等产品及配套软件和关键元器件。以技术进步推动产业升级,产业附加值提高,向集约型转化;企业创新能力大幅提升,自主创新产品、技术和标准得到大范围应用;改变关键技术受制于国外企业的局面,实现多种终端产品的互联互通,提高用户体验效果。2015-2016年突破一批关键技术瓶颈,将创新技术应用于产品,努力实现产业化。